Prediction of ion sheath shape and ion trajectory during plasma etching processing using on-wafer monitoring technique and simulation
Prediction of ion sheath shape and ion trajectory during plasma etching processing using on-wafer monitoring technique and simulation
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使用晶圆上监测技术和模拟来预测等离子蚀刻处理期间的离子鞘形状和离子轨迹
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S.Samukawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R.Araki;T.Kubota;and S.Samukawa
