Low-Temperature High-Density Chip-Stack Interconnection Using Compliant Bump
Low-Temperature High-Density Chip-Stack Interconnection Using Compliant Bump
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使用顺应凸点的低温高密度芯片堆叠互连
DOI：
10.1109/ectc.2007.373861
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Asano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Watanabe;T. Asano
我们展示了低温高密度芯片堆叠互连使用顺应凸点。低温芯片堆叠通过两种方法进行：（1）柔性凸块的等离子体清洗，（2）使用柔性凸块和环形电极的机械填缝。后一种方法即使在室温下实现芯片堆叠也是非常有效的。
We demonstrate low-temperature high-density chip-stack interconnection using compliant bump. Low temperature chip stacking was carried out by two methods; (1) plasma cleaning of compliant bumps, (2) mechanical caulking using compliant bump and doughnut-shaped electrode. The latter method is very effective in realizing chip stacking even at room temperature.