半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光マッピング測定
半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光マッピング測定
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半极性{11-22}InGaN量子阱结构的近场发射映射测量
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
川上養一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
金田昭男;上田雅也;船戸充;川上養一
