抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜の構造および電気特性へのアニール効果
抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜の構造および電気特性へのアニール効果
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退火对变阻非易失性存储器用NiO薄膜结构和电学性能的影响
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
木本恒暢
中科院分区：
文献类型：
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作者：
西佑介;木本恒暢
