沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究
沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究
复制标题
DOI：
--
复制
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
郭旗
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
崔江维;郑齐文;余德昭;周航;苏丹丹;马腾;魏莹;余学峰;郭旗
