低速電子誘起反応とトンネル反応を利用したシリコン半導体薄膜の極低温合成
低速電子誘起反応とトンネル反応を利用したシリコン半導体薄膜の極低温合成
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利用慢电子诱导反应和隧道反应低温合成硅半导体薄膜
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
佐藤哲也
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Sato;M. Mitsui;J. Yamanaka;K. Nakagawa;et.al;佐藤哲也
