Detailed structural analysis and the dielectric properties of silicon nitride film fabricated using pure nitrogen plasma generated near atmospheric pressure
Detailed structural analysis and the dielectric properties of silicon nitride film fabricated using pure nitrogen plasma generated near atmospheric pressure
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使用接近大气压产生的纯氮等离子体制造的氮化硅薄膜的详细结构分析和介电性能
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Teraoka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Hayakawa;M. Nakae;T. Yoshimura;A. Ashida;N. Fujimura;T. Uehara;M. Tagawa;Y. Teraoka
