Direct Formation of GaAs-GaAlAs Quantum-Dot Structures by Droplet Epitaxy
Direct Formation of GaAs-GaAlAs Quantum-Dot Structures by Droplet Epitaxy
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液滴外延直接形成GaAs-GaAlAs量子点结构
DOI：
10.1007/978-3-642-79232-8_34
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发表时间：
1993
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Koguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Ishige;N. Koguchi
使用MEE工艺在硫封端的GaAlAs表面上通过液滴外延生长的GaAs外延微晶上进行GaAlAs外延层生长。通过使用液滴外延和MEE工艺，我们可以直接在MBE室中形成GaAs-GaAlAs量子点结构。
GaAIAs epitaxial layer growth over the GaAs epitaxial microcrystals grown on a sulfur-terminated GaAlAs surface by droplet epitaxy was performed by using MEE process. By using droplet epitaxy and MEE process, we can form GaAs-GaAlAs quantum dots structure directly in an MBE chamber.
影响因子：
4
作者：
ARAKAWA, Y;SAKAKI, H
通讯作者：
SAKAKI, H