T.Hashizume: "Observation of Conductance Quantization in A Novel Schottky In-Plane Gate Wire Transistor Fabricated by Low-Damage In Situ Electrochemical Process." Jpn.J.Appl.Phys.34. L635-L638 (1995)
T.Hashizume: "Observation of Conductance Quantization in A Novel Schottky In-Plane Gate Wire Transistor Fabricated by Low-Damage In Situ Electrochemical Process." Jpn.J.Appl.Phys.34. L635-L638 (1995)
复制标题
T.Hashizume：“通过低损伤原位电化学工艺制造的新型肖特基面内栅线晶体管中电导量子化的观察”。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
