Improved Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb Quantum Well Channel Using Strained-Al0.40In0.60Sb/Al1-yInySb Stepped Buffer
Improved Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb Quantum Well Channel Using Strained-Al0.40In0.60Sb/Al1-yInySb Stepped Buffer
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使用应变 Al0.40In0.60Sb/Al1-yInySb 阶梯缓冲器改进 Ga1-xInxSb 量子阱通道的电子传输特性
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and H. I. Fujishiro
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Hiraoka;Y. Endoh;K. Osawa;N. Kishimoto;T. Hayashi;R. Machida;A. Endoh;and H. I. Fujishiro
