Electron dephasing in homogeneous and inhomogeneous indium tin oxide thin films
Electron dephasing in homogeneous and inhomogeneous indium tin oxide thin films
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均匀和非均匀氧化铟锡薄膜中的电子相移
DOI：
10.1103/physrevb.85.104204
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发表时间：
2012-02
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Lin, Juhn-Jong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lin, Bo-Tsung;Zhang, Yu-Jie;Li, Zhi-Qing;Lin, Juhn-Jong
在0.3- 90 K的宽温度范围内研究了二维均匀和非均匀氧化铟锡薄膜中的电子退相过程。我们发现电子-电子（$e$-$e$）小能量转移散射过程在几K到几十K的退相过程中起主导作用。在较高的温度下，交叉的大能量转移$e$-$e$散射过程中观察到。低于约1- 2 K时，失相时间$\tau_\varphi$显示出非常弱的温度依赖性，其有趣地近似与电子扩散常数$D$的倒数成比例，即，$\tau_\varphi（T \approx 0.3 \，{\rm K}）\propto 1/D$.我们的研究结果的理论意义进行了讨论。提出了在这种低载流子浓度材料中，电子-声子弛豫速率弱到可以忽略不计的原因。
The electron dephasing processes in two-dimensional homogeneous and inhomogeneous indium tin oxide thin films have been investigated in a wide temperature range 0.3--90 K. We found that the small-energy-transfer electron-electron ($e$-$e$) scattering process dominated the dephasing from a few K to several tens K. At higher temperatures, a crossover to the large-energy-transfer $e$-$e$ scattering process was observed. Below about 1--2 K, the dephasing time $\tau_\varphi$ revealed a very weak temperature dependence, which intriguingly scaled approximately with the inverse of the electron diffusion constant $D$, i.e., $\tau_\varphi (T \approx 0.3 \, {\rm K}) \propto 1/D$. Theoretical implications of our results are discussed. The reason why the electron-phonon relaxation rate is negligibly weak in this low-carrier-concentration material is presented.
DOI：
10.1142/11041
发表时间：
2018-06
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
A. Aharonî;O. Entin-Wohlman
通讯作者：
A. Aharonî;O. Entin-Wohlman
DOI：
10.1088/0031-9112/18/7/018
发表时间：
1967-07
期刊：
Physics Bulletin
影响因子：
--
作者：
A R Plummer
通讯作者：
A R Plummer