Atomistic origin of high-quality "novel SiON" gate dielectric
Atomistic origin of high-quality "novel SiON" gate dielectric
复制标题
高品质“新型 SiON”栅极电介质的原子起源
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Yamaguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Inoke;K. Kaneko;M. Weyland;P. A. Midgley;K. Higashida and Z. Horita;K.Yamaguchi
