Preparation of n-type nanocrystalline 3C-SiC films by hot-wire CVD using N2 as doping gas
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DOI：
10.1016/j.tsf.2009.01.045
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发表时间：
2009-04
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
Yoshiki Hoshide;A. Tabata;A. Kitagawa;A. Kondo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yoshiki Hoshide;A. Tabata;A. Kitagawa;A. Kondo
