Yoshinari Kamakura, Hironori Ryouke, Kenji Taniguchi: "Ensemble Monte Carlo/Molecular Dynamics Simulation of Inversion Layer Mobility in Si MOSFETs ---Effects of Substrate Impurity"IEICE Transactions on Electronics. E86-C. (2003)
Yoshinari Kamakura, Hironori Ryouke, Kenji Taniguchi: "Ensemble Monte Carlo/Molecular Dynamics Simulation of Inversion Layer Mobility in Si MOSFETs ---Effects of Substrate Impurity"IEICE Transactions on Electronics. E86-C. (2003)
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Yoshinari Kamakura、Hironori Ryouke、Kenji Taniguchi：“Si MOSFET 中反型层迁移率的整体蒙特卡罗/分子动力学模拟 --- 衬底杂质的影响”IEICE Transactions on Electronics。
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