Notizen: Zur Struktur ternärer Chalkogenide des Thalliums mit Aluminium, Gallium und Indium, XXII* / On the Structure of Ternary Thalliumchalkogenides with Aluminium, Gallium and Indium, XXII*
Notizen: Zur Struktur ternärer Chalkogenide des Thalliums mit Aluminium, Gallium und Indium, XXII* / On the Structure of Ternary Thalliumchalkogenides with Aluminium, Gallium and Indium, XXII*
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通知:Zur Struktur ternärer Chalkogenide des Thalliums mit Aluminium, Gallium und Indium, XXII* / 关于三元铊硫族化物与铝、镓和铟的结构,XXII*
DOI:
10.1515/znb-1974-1-237
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发表时间:
1974
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
H. Hahn
中科院分区:
文献类型:
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作者:
D. Müller;F. E. Poltmann;H. Hahn
Vor einiger Zeit haben wir über Versuche zur E r m ittlung der K ristalldaten der ternären Thalliumchalkogenide T1A1S,, TlAlSe2, TlGaS2, TlGaSe2 und T lInS2 berich tet1-2. Da bisher nur stark fehlge ordnetes K ristallm aterial zur Verfügung stand, war eine Auswertung der Aufnahmen sehr schwierig; es konnte nur eine tetragonale Symmetrie festge stellt werden. Inzwischen gelang es uns, durch vielfache Varia tion der Versuchsbedingungen Kristalle der Gal lium* und der Indium-Verbindungen herzustellen, die nur noch schwach fehlgeordnet waren. Die Untersuchung eines Einkristalls von TlGaSe2 an einem com putergesteuerten Vierkreisdiffraktomete r3 ermöglichte eine exakte Indizierung und dam it auch die Bestim m ung der Symmetrie. Die Verbin dung kristallisiert monoklin (Tab. I), wobei auf Grund der beobachteten Auslöschungen: hkl nur m it h k — 2n, hOl nur mit l = 2n die R aum gruppen C* und C§h möglich sind.