Etching behavior and damage rejuvenation of top electrode and Bi 3:15Nd0:85Ti3O12 films applied in ferroelectric random access memory devices
Etching behavior and damage rejuvenation of top electrode and Bi 3:15Nd0:85Ti3O12 films applied in ferroelectric random access memory devices
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铁电随机存取存储器中顶电极和Bi 3:15Nd0:85Ti3O12薄膜的刻蚀行为和损伤修复
DOI：
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发表时间：
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影响因子：
1.5
通讯作者：
Luo, Yafeng
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xie, Dan;Xue, Kanhao;Ren, Tianling;Liu, Litian;Yu, Wenkao;Luo, Yafeng
