New approach to low-temperature Si epitaxy by using hot wire cell method
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DOI：
10.1016/s0022-0248(99)00566-7
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发表时间：
2000-02
影响因子：
1.8
通讯作者：
T. Watahiki;A. Yamada;M. Konagai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Watahiki;A. Yamada;M. Konagai
