A 20 mW, 150 GHz InP HEMT MMIC power amplifier module
A 20 mW, 150 GHz InP HEMT MMIC power amplifier module
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20 mW、150 GHz InP HEMT MMIC 功率放大器模块
DOI：
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发表时间：
2004
影响因子：
3
通讯作者：
Adele E. Schmitz
中科院分区：
文献类型：
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作者：
L. Samoska;A. Peralta;Ming Hu;Miro Micovic;Adele E. Schmitz
本文介绍了一种功率放大器（PA）模块，其中包含InP高电子迁移率晶体管（HEMT）单片毫米波集成电路（MMIC）放大器芯片，在喷气推进实验室设计和封装，并在HRL实验室制造。该模块在150 GHz时的输出功率为20 mW，在148-160 GHz频率范围内的输出功率超过10 mW。
This paper describes a power amplifier (PA) module containing an InP high electron mobility transistor (HEMT) monolithic millimeter-wave integrated circuit (MMIC) amplifier chip, designed, and packaged at the Jet Propulsion Laboratory, and fabricated at HRL Laboratories. The module features 20 mW of output power at 150 GHz, with more than 10 mW available in the 148-160 GHz frequency range.