E.Tokumitsu, K.Okamoto, H.Ishiwara: "Low Voltage Operation of Nonvolatile Metal-Ferroelectric-Metal-Insulator-Semiconductor(MFMIS)-Field-Effect-Transistors(FETs) Using Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SrTa_2O_6/SiON/Si Structures"Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.40 Part 1,No.4B.
E.Tokumitsu, K.Okamoto, H.Ishiwara: "Low Voltage Operation of Nonvolatile Metal-Ferroelectric-Metal-Insulator-Semiconductor(MFMIS)-Field-Effect-Transistors(FETs) Using Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SrTa_2O_6/SiON/Si Structures"Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.40 Part 1,No.4B.
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E.Tokumitsu、K.Okamoto、H.Ishiwara：“使用 Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SrTa_2O_6/SiON/ 的非易失性金属铁电金属绝缘体半导体 (MFMIS) 场效应晶体管 (FET) 的低电压运行
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