Precise Structural Tuning of Porous GaN Using Two-Step Anisotropic Etching for Optical and Photo-Electric Applications
Precise Structural Tuning of Porous GaN Using Two-Step Anisotropic Etching for Optical and Photo-Electric Applications
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使用两步各向异性蚀刻对光学和光电应用中的多孔 GaN 进行精确结构调整
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Sato
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Kumazaki;S. Matsumoto;T. Sato
