Fabrication of Quasi-phase-matching Stack of GaAs Plates Using a New Technique: Room-temperature Bonding
Fabrication of Quasi-phase-matching Stack of GaAs Plates Using a New Technique: Room-temperature Bonding
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使用室温键合新技术制造准相位匹配 GaAs 板叠层
DOI：
10.1364/assl.2016.atu5a.6
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
I. Shoji
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Terumitsu Kubota;Hiroki Atarashi;I. Shoji
利用室温键合，我们成功地制造了由 30 块 106 µm 厚的 GaAs 板组成的准相位匹配叠层。该技术可以实现低损耗的大孔径高功率波长转换器件。
Using the room-temperature bonding, we have succeeded in fabricating a quasi-phase matching stack of thirty 106 µm-thick GaAs plates. This technique can realize large aperture high-power wavelength-conversion devices with low loss.
伊藤正司：“拒绝父权。”
DOI：
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发表时间：
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作者：
通讯作者：
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