Stacking 4” Si Wafer with Parallel 3-Stepped Micro-Trenches to Deposit Superconducting Material for Magnetic Energy Storage
Stacking 4” Si Wafer with Parallel 3-Stepped Micro-Trenches to Deposit Superconducting Material for Magnetic Energy Storage
复制标题
使用平行三阶梯微沟槽堆叠 4 英寸硅片，沉积用于磁能存储的超导材料
DOI：
--
复制
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Motohiro,
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Sasaki;Y. Suzuki;T. Hioki;T. Motohiro,
