Silicon epitaxial growth rate accelerated by parallel langmuir processes
Silicon epitaxial growth rate accelerated by parallel langmuir processes
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平行朗缪尔工艺加速硅外延生长速率
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Ayumi Sakurai and Hitoshi Habuka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ayami Yamada;Toru Watanabe;Ayumi Saito;Ayumi Sakurai and Hitoshi Habuka
