r.Ushiki,K.Kawai,M.C.Yu,T.Shinohara,K.Ino,M.Morita,T.Ohmi: "Improvement of Gate Oxide Reliability for Tantalum-Gate MOS Devices Using Xenon Plasma Sputtering Technology" IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 45・11. 2349-2354
r.Ushiki,K.Kawai,M.C.Yu,T.Shinohara,K.Ino,M.Morita,T.Ohmi: "Improvement of Gate Oxide Reliability for Tantalum-Gate MOS Devices Using Xenon Plasma Sputtering Technology" IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 45・11. 2349-2354
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r.Ushiki,K.Kawai,M.C.Yu,T.Shinohara,K.Ino,M.Morita,T.Ohmi：“使用氙等离子溅射技术提高钽栅 MOS 器件的栅氧化可靠性” IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 45・11。
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