Novel Superjunction LDMOS (>950 V) With a Thin Layer SOI
Novel Superjunction LDMOS (>950 V) With a Thin Layer SOI
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具有薄层 SOI 的新型超结 LDMOS (>950 V)
DOI：
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发表时间：
2017
影响因子：
4.9
通讯作者：
Bo Zhang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Wentong Zhang;Zhenya Zhan;Yang Yu;Shikang Cheng;Yan Gu;Sen Zhang;Xiaorong Luo;Zehong Li;Ming Qiao;Zhaoji Li;Bo Zhang
