Molecular beam epitaxy growth and characterization of InxGa1 − xAs (0.57 ⩽ x ⩽ 1) on GaAs using InAlAs graded buffer
Molecular beam epitaxy growth and characterization of InxGa1 − xAs (0.57 ⩽ x ⩽ 1) on GaAs using InAlAs graded buffer
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DOI：
10.1016/s0022-0248(96)00892-5
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发表时间：
1997-05
影响因子：
1.8
通讯作者：
Shumin Wang;C. Karlsson;N. Rorsman;M. Bergh;E. Olsson;T. Andersson;H. Zirath
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shumin Wang;C. Karlsson;N. Rorsman;M. Bergh;E. Olsson;T. Andersson;H. Zirath
