Etching action by atomic hydrogen and low temperature silicon epitaxial growth on ECR plasma CVD
Etching action by atomic hydrogen and low temperature silicon epitaxial growth on ECR plasma CVD
复制标题
ECR等离子体CVD上原子氢和低温硅外延生长的蚀刻作用
DOI：
10.1016/s0042-207x(98)00250-4
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发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
4
通讯作者：
T. Takada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Sasaki;H. Tomoda;T. Takada
