吉見 雅士: "Phto current Multiplication in Hydrogeuated Amorphous Silicon Basis p-i-n Junction Interted an a-s:N Layer" J.Appl.phys.72. 3186-3193 (1992)
吉見 雅士: "Phto current Multiplication in Hydrogeuated Amorphous Silicon Basis p-i-n Junction Interted an a-s:N Layer" J.Appl.phys.72. 3186-3193 (1992)
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Masashi Yoshimi：“氢化非晶硅基 p-i-n 结插入 a-s:N 层中的光电电流倍增”J.Appl.phys.72 (1992)。
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