Dielectric Properties of Thermally Grown S102 0n 4H-SiC (0001) Substrates
Dielectric Properties of Thermally Grown S102 0n 4H-SiC (0001) Substrates
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热生长 S102 0n 4H-SiC (0001) 基板的介电性能
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.605
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
細井卓治
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Atsushi Noro;Yusuke Tomita;Yushu Matsushita;Joseph J. Walish;Edwin L. Thomas;細井卓治
