Direct deposition of nanoparticulate rhodium–chromium mixed-oxides on a semiconductor powder by band-gap irradiation
Direct deposition of nanoparticulate rhodium–chromium mixed-oxides on a semiconductor powder by band-gap irradiation
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DOI：
10.1039/b808484j
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发表时间：
2008-07
影响因子：
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通讯作者：
K. Maeda;D. Lu;K. Teramura;K. Domen
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Maeda;D. Lu;K. Teramura;K. Domen
在含有（NH4）3RhCl6和K2CrO4的水溶液中，通过带隙辐射将铑和铬的纳米颗粒混合氧化物（Rh2 − yCryO3）直接沉积在半导体粉末上，展示了使用光活性半导体的混合金属氧化物的光沉积的第一个实例。
A nanoparticulate mixed-oxide of rhodium and chromium (Rh2−yCryO3) is directly deposited on a semiconductor powder by band-gap irradiation in aqueous solutions containing (NH4)3RhCl6 and K2CrO4, demonstrating the first example of photodeposition of a mixed metal-oxide using photoactive semiconductors.