GaAs on Ge for CMOS
GaAs on Ge for CMOS
复制标题
DOI：
10.1016/j.tsf.2008.08.049
复制
发表时间：
2008-11-03
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
Leys, M.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Brammertz, G.;Caymax, M.;Leys, M.
GaAs 在 Ge 上的选择性外延生长是在 22 nm 以下 CMOS 节点中集成 GaAs 和 Ge 的先决条件。描述并说明了在 Ge 上外延生长 GaAs 时遇到的问题。主要解决反相边界（APB）形成的问题。讨论了使用 SiO(2) 掩模在 Ge 上选择性外延生长 GaAs，并通过 X 射线衍射、电子显微镜、缺陷蚀刻和光致发光光谱对选择性生长的层进行了表征。提出了一种优化的生长程序，同时减少了负载效应和 APB 的产生。低温光致发光测量表明在 Ge 上选择性生长的 GaAs 具有良好的质量。 (C) 2008 Elsevier B.V. 保留所有权利。
Selective epitaxial growth of GaAs on Ge is a prerequisite for the integration of GaAs and Ge in the sub-22 nm CMOS nodes. The problems encountered for epitaxial growth of GaAs on Ge are described and illustrated. Mainly the problem of anti-phase boundary (APB) formation is addressed. Selective epitaxial growth of GaAs on Ge with a SiO(2) mask is discussed and selectively grown layers are characterized by X-ray diffraction, electron microscopy, defect etching and photoluminescence spectroscopy. An optimized growth procedure is presented, which simultaneously reduces loading effects and APB creation. Low temperature photoluminescence measurements show the good quality of the selectively grown GaAs on Ge. (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.