真空一貫固相反応PvD成膜によるTiN/HfSiON pMISFETの特性改善
真空一貫固相反応PvD成膜によるTiN/HfSiON pMISFETの特性改善
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真空集成固相反应PvD成膜改善TiN/HfSiON pMISFET特性
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
渡部平司;他
