Properties and electronic structure of heavily oxygen-doped GaN crystals
Properties and electronic structure of heavily oxygen-doped GaN crystals
复制标题
重氧掺杂GaN晶体的性质和电子结构
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Kitamura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Miura;S. Shimada;M. Yokoyama;H;Tachikawa;T. Kitamura
