Thermal dry oxidation of Si 1-x-y Ge x C y strained layers grown on silicon
Thermal dry oxidation of Si 1-x-y Ge x C y strained layers grown on silicon
复制标题
硅上生长的 Si 1-x-y Ge x C y 应变层的热干氧化
DOI：
10.1016/s0167-9317(99)00371-8
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发表时间：
1999
影响因子：
2.3
通讯作者：
K. Pressel
中科院分区：
文献类型：
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作者：
B. Garrido;A. Cuadras;C. Bonafos;J. Morante;L. Fonseca;M. Franz;K. Pressel
