Effect of thermal annealing on properties of InSbN grown by molecular beam epitaxy
Effect of thermal annealing on properties of InSbN grown by molecular beam epitaxy
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热退火对分子束外延生长InSbN性能的影响
DOI：
10.1063/1.3399775
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发表时间：
2010
影响因子：
4
通讯作者：
S. Tripathy
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Lim;H. T. Pham;S. Yoon;C. Ngo;S. Tripathy
研究了退火对InSbN薄膜性能的影响。施主缺陷以N-N晶体的形式湮灭，这是由N引起的拉伸应变的移动和自由电子浓度从1011 ×1018 cm − 3下降到1012 ×1016 cm−3的器件水平所暗示的。 这些发现支持了N族化合物热分解成单个N的论点。在拉曼光谱中，还原的Sb反位和N-N间隙缺陷的相应特征是明显的。这项工作将有利于长波长红外光电探测器的工作。
We study the annealing effects on the properties of as-grown InSbN films. The annihilation of donor defects in the form of N-N interstitials is suggested by the shifting of N induced tensile strain and a decrease in free electron concentration from ∼1×1018 to device level of ∼2×1016 cm−3. These findings support the argument that N interstitials thermally dissociate into single N. Corresponding signatures for the reduced Sb antisites and N-N interstitial defects are apparent in Raman spectra. This work will benefit those working on long wavelength infrared photodetectors.
稀氮化物中的缺陷
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
Acta Physica Polonica A Vol.108,No.4
影响因子：
--
作者：
W.M.Chen;I.A.Buyanova;C.W.Tu;H.Yonezu
通讯作者：
H.Yonezu