Electron and hole trap levels in semi-insulating GaAs investigated by a temperature variation of piezoelectric photo-thermal spectra
Electron and hole trap levels in semi-insulating GaAs investigated by a temperature variation of piezoelectric photo-thermal spectra
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通过压电光热光谱的温度变化研究半绝缘砷化镓中的电子和空穴陷阱能级
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Ikari
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Ito;S.Sato;S.Tada;S.Tanaka;A.Fukuyama;T.Ikari
