Low resistivity lateral P-I-N junction formed by Ni-InGaAsP alloy for carrier injection InGaAsP photonic devices
Low resistivity lateral P-I-N junction formed by Ni-InGaAsP alloy for carrier injection InGaAsP photonic devices
复制标题
Ni-InGaAsP合金形成的低电阻率横向P-I-N结用于载流子注入InGaAsP光子器件
DOI：
10.7567/jjap.55.04eh04
复制
发表时间：
2016
影响因子：
1.5
通讯作者：
Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jin-Kwon Park;Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi
