単一InAs量子ドットトランジスタにおける物理現象の解明とデバイス応用

単一InAs量子ドットトランジスタにおける物理現象の解明とデバイス応用
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阐明单 InAs 量子点晶体管的物理现象和器件应用

DOI:
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发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
柴田憲治
柴田憲治
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
M. Fujiwara;O. Neitzke;T. Schroder;S. Takeuchi;D. Englund;and O. Benson;柴田憲治

文献摘要

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