Growth of InSb on GaAs by metalorganic chemical vapor deposition
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DOI：
10.1016/0022-0248(91)90189-c
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发表时间：
1991-02
影响因子：
1.8
通讯作者：
R. M. Biefeld;G. Hebner
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. M. Biefeld;G. Hebner
