アニール処理による Ce:YIG上 a-Si:H導波路の吸収損失低減
アニール処理による Ce:YIG上 a-Si:H導波路の吸収損失低減
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通过退火处理减少 Ce:YIG 上 a-Si:H 波导的吸收损耗
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
村井俊哉
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Murai Toshiya;Shoji Yuya;Nishiyama Nobuhiko;Mizumoto Tetsuya;Yuya Shoji;Yuki Hara;Shun Yajima;Shun Yajima;庄司 雄哉;矢島 駿;Shuyuan Liu;庄司 雄哉;谷口 翔平;Yuya Shoji;Zhu Liang;Yisheng Ni;庄司 雄哉;矢島 駿;峰村 大輝;Toshiya Murai;Daiki Minemura;Shuyuan Liu;Shun Yajima;Yuki Hara;谷口翔平;丹下湧斗;村井俊哉;Shuyuan Liu;峰村大輝;ラネプラヒュウェッジネランジト;矢島駿;峰村大輝;Tetsuya Mizumoto;Tetsuya Mizumoto;Toshiya Murai;矢島駿;原雄基;Ryota Yokoi;Daiki Minemura;村井俊哉;村井俊哉
