Evolution of the InAs wetting layer on GaAs(001)-c(4×4) on the atomic scale
Evolution of the InAs wetting layer on GaAs(001)-c(4×4) on the atomic scale
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GaAs(001)-c(4×4)上InAs润湿层原子尺度的演化
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Eisele
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Grabowski;Christopher Prohl;B. Höpfner;M. Dähne;H. Eisele
用扫描隧道显微镜研究了GaAs（001）-c（4×4）表面InAs润湿层的形成过程。在低InAs覆盖率下，在沉积的InAs的约2/3 ML处发生到（4×3）重构的In 2/3Ga 1/3As单层的突变之前，在表面上形成铟附聚的特征。进一步的铟沉积导致在表面上具有α2（2×4）和β2（2×4）结构单元的第二层。
Scanning tunneling microscopy was used to investigate the development of the InAs wetting layer on the GaAs(001)-c(4×4) surface. At low InAs coverages signatures of indium agglomerations form on the surface, before an abrupt change to a (4×3) reconstructed monolayer of In2/3Ga1/3As occurs at about 2/3 ML of deposited InAs. Further indium deposition leads to a second layer with α2(2×4) and β2(2×4) structural units on the surface.