Highly Stable Artificial STDP Synapse Based on Oxide FET
Highly Stable Artificial STDP Synapse Based on Oxide FET
复制标题
基于氧化物 FET 的高度稳定人工 STDP 突触
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
井上 公
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Stoliar Pablo;Schulman Alejandro;鬼頭 愛;澤 彰仁;井上 公
