具有纵向场板的槽型SOI LDMOS
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DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
ELECTRONICS LETTERS
影响因子：
1.1
通讯作者：
何航丞
何航丞
中科院分区：
工程技术4区
文献类型：
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作者：
章文通;石琴;蔡鹏飞;何航丞
文献摘要
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