Generation of 200 fs pulses with a short microcavity VECSEL
Generation of 200 fs pulses with a short microcavity VECSEL
复制标题
使用短微腔 VECSEL 生成 200 fs 脉冲
DOI：
10.1117/12.2004384
复制
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Turnbull A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Turnbull A
我们报告了一种使用 4.5λ/2 反谐振微腔增益结构的 1μm 锁模 VECSEL。使用两种不同的半导体可饱和吸收镜（SESAM）生成脉冲。第一个生长在 1000 nm 下运行，SESAM 被加热至 85 °C，增益冷却至 -23 °C，以使波长与增益和吸收器匹配。第二个 SESAM 设计用于 1030 nm，并在 -12 °C 下通过增益和 SESAM 实现锁模操作。第一种方法生成平均功率为 2 mW 的 205-fs 脉冲，第二种方法生成平均功率为 13 mW 的 260-fs 脉冲。
We report a 1-μm mode-locked VECSEL using a 4.5λ/2 antiresonant microcavity gain structure. The pulses were generated using two different semiconductor saturable absorber mirrors (SESAMs). The first was grown for operation at 1000 nm and the SESAM was heated to 85 °C and the gain cooled to -23 °C to wavelength match the gain and absorber. The second SESAM was designed for 1030 nm and mode-locked operation was achieved with both gain and SESAM at -12 °C. The first approach generated 205-fs pulses with an average power of 2 mW, the second 260-fs pulses with an average power of 13 mW.