Analysis of interface roughness in strained InGaAs/AlInAs quantum cascade laser structures (λ ∼ 4.6 μm) by atom probe tomography
Analysis of interface roughness in strained InGaAs/AlInAs quantum cascade laser structures (λ ∼ 4.6 μm) by atom probe tomography
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通过原子探针断层扫描分析应变 InGaAs/AlInAs 量子级联激光结构 (δ≤4.6μm) 的界面粗糙度
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2022.126531
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发表时间：
2022
影响因子：
1.8
通讯作者：
Mawst, L.J.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Knipfer, B.;Xu, S.;Kirch, J.D.;Botez, D.;Mawst, L.J.
