シリコンMOS素子における単一電子スピン効果
シリコンMOS素子における単一電子スピン効果
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硅MOS器件中的单电子自旋效应
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大野圭司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Mori;Y. Morita;S. Migita;K. Hukuda;Q. Mizubayashi;T. Yasuda;M. Masahoku;T. Matsukawa;H. Ota;S. Moriyama;K. Ono;S. Iizuka;T. Nakayama;大野圭司
