4H-SiC MOS反転層における電子移動度の理論的検討
4H-SiC MOS反転層における電子移動度の理論的検討
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4H-SiC MOS反型层电子迁移率理论研究
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
田中 ー，森 伸也
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高橋拓也;小野原彩香;井原泰雄;小野原彩香;田中 ー，森 伸也;H. Tanaka and N. Mori;田中 ー，森 伸也
