T.Hanajiri, K.Aoto, T.Hoshino, M.Niizato, Y.Nakajima, T.Toyabe, T.Morikawa, T.Sugano, Y.Akagi: "A new approach for quantum mechanical modeling and simulation for MOS devices, covering the whole operation region"Computational Materials Science. (In press).
T.Hanajiri, K.Aoto, T.Hoshino, M.Niizato, Y.Nakajima, T.Toyabe, T.Morikawa, T.Sugano, Y.Akagi: "A new approach for quantum mechanical modeling and simulation for MOS devices, covering the whole operation region"Computational Materials Science. (In press).
复制标题
T.Hanajiri、K.Aoto、T.Hoshino、M.Niizato、Y.Nakajima、T.Toyabe、T.Morikawa、T.Sugano、Y.Akagi：“MOS 器件量子力学建模和仿真的新方法，
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
