Cathodoluminescence study of SiO2/4H-SiC structures treated with high-temperature post-oxidation annealing
Cathodoluminescence study of SiO2/4H-SiC structures treated with high-temperature post-oxidation annealing
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高温氧化后退火处理的SiO2/4H-SiC结构的阴极发光研究
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.858.445
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and H. Watanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Chanthaphan;Y. Fukushima;K. Yamamoto;M. Aketa;H. Asahara;T. Nakamura;T. Hosoi;T. Shimura;and H. Watanabe
