Nitrogen-Content Dependence of Crystalline Structures and Resistivity of Hf-Si-N Gate Electrodes for Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
Nitrogen-Content Dependence of Crystalline Structures and Resistivity of Hf-Si-N Gate Electrodes for Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
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金属氧化物半导体场效应晶体管 Hf-Si-N 栅电极晶体结构和电阻率的氮含量依赖性
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Zaima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Miyamoto;K. Furumai;B. E. Urban;H. Kondo;and S. Zaima
